（1）較高的真空度可以保證汽化分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到基底的距離。

由于氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)，分子之間的碰撞也是極其頻繁的，所以盡管氣體分子運(yùn)動(dòng)的速度相當(dāng)?shù)母?( 可達(dá)每秒幾百米 ) ，但是由于它在前進(jìn)的過程中要與其它分子多次碰撞， 一個(gè)分子在兩次連續(xù)碰撞之間所走的距離被稱為它的自由程， 而大量分子自由程的統(tǒng)計(jì)平均值就被稱為分子的平均自由程。

由于氣體壓強(qiáng)與單位體積的分子數(shù)成正比， 因此平均自由程與氣體的壓強(qiáng)亦成正比。

在真空淀積薄膜過程中，當(dāng)?shù)矸e距離大于分子的平均自由程時(shí)被稱為杭州低真空淀積， 而當(dāng)?shù)矸e距離小于分子的平均自由程時(shí)被稱為高真空淀積。在高真空淀積時(shí)，蒸發(fā)原子 ( 或分子 ) 與殘余氣體分子間的碰撞可以忽略不計(jì)，因此汽化原子是沿直線飛向基片的，這樣保持較大動(dòng)能到達(dá)基片的汽化原子即可以在基片上凝結(jié)成較牢固的膜層。在杭州低真空淀積時(shí)，由于碰撞的結(jié)果會(huì)使汽化原子的速度和方向都發(fā)生變化，甚至可能在空間生成蒸汽原子集合體—其道理與水蒸汽在大氣中生成霧相似。

（2）在較高的真空度下可以減少殘余氣體的污染在真空度不太高的情況下， 真空室內(nèi)含有眾多的殘余氣體分子( 氧、氮、水及碳?xì)浠衔锏?) ，它們能給薄膜的鍍制帶來極大的危害。它們與汽化的膜料分子碰撞使平均自由程變短；它們與正在成膜的表面碰撞并與之反應(yīng)；它們隱藏在已形成的薄膜中逐漸侵蝕薄膜；它們與蒸發(fā)源高溫化合減少其使用壽命；它們在已蒸發(fā)的膜料表面上形成氧化層使蒸鍍過程不能順利進(jìn)行……。